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中國(guó)晶圓代工廠中芯國(guó)際（SMIC）和LSI制造商Innosilicon宣布，他們已經(jīng)完成了使用前者的N + 1工藝技術(shù)制造的第一款國(guó)產(chǎn)芯片的數(shù)字設(shè)計(jì)。根據(jù)中芯國(guó)際的《梁夢(mèng)頌》，在效率方面，該公司的N + 1工藝與臺(tái)積電的7nm節(jié)點(diǎn)“幾乎相同”。臺(tái)積電的N7級(jí)節(jié)點(diǎn)是世界上最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)，僅次于其5nm EUV工藝，這本身就是一個(gè)大膽的主張。

但是，仔細(xì)研究一下基礎(chǔ)知識(shí)，很明顯，盡管N + 1相當(dāng)有效，但就性能和密度而言，還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。與SMIC自己的14nm工藝相比，N + 1降低了57%的功耗，邏輯芯片面積減少了63%。但是，性能提升僅為20%左右。相比之下，TSMC的7nm節(jié)點(diǎn)與14nm節(jié)點(diǎn)相比，性能提高了35%，功率效率提高了55%，密度提高了3.3倍。

另一個(gè)問(wèn)題是，中芯國(guó)際N + 1工藝的生產(chǎn)成本比臺(tái)積電7nm工藝的生產(chǎn)成本高得多，后者與產(chǎn)量直接相關(guān)。要再提高一兩年的產(chǎn)量。因此，我們正在研究2021年甚至2022年的量產(chǎn)。

這主要是由于中芯國(guó)際被迫使用193nm掃描儀，與臺(tái)積電的7nm（ASML）掃描儀相比，它需要更多的生產(chǎn)步驟，掩模和原材料。

中芯國(guó)際（SMIC）希望在其N + 2節(jié)點(diǎn)上引入EUV技術(shù)，但美國(guó)最近的限制使其擱置。消息人士稱，中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了EUV步進(jìn)掃描系統(tǒng)，但由于制裁，該系統(tǒng)尚未安裝。

有趣的是，在實(shí)際開始批量生產(chǎn)時(shí)，與其他高級(jí)流程相比，N + 1流程的效果如何。但是，請(qǐng)記住，屆時(shí)臺(tái)積電將開始量產(chǎn)其3nm和2nm工藝。